14:45 〜 15:00 △ [20p-D103-7] SiC MOS反転層における電子散乱機構の実験的評価 〇野口 宗隆1、岩松 俊明1、網城 啓之1、渡邊 寛1、喜多 浩之2、山川 聡1 (1.三菱電機、2.東大院工)