Juan Paolo Soria Bermundo

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発表者・著者、共著者

2018年3月17日(土) 16:00 〜 18:00 P12 (ベルサール高田馬場)

一般セッション(ポスター講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

16:00 〜 18:00

▲ [17p-P12-18] Excimer laser annealing of Mg-implanted GaN films

〇Juan Paolo Soria Bermundo¹、Yuki Tada¹、Hiroshi Ikenoue²、Mutsunori Uenuma¹、Yasuaki Ishikawa¹、Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST、2.Kyushu Univ.)

2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:15 E201 (57-201)

一般セッション(口頭講演)
| 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
| 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-E201-1~11] 21.1 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

11:00 〜 11:15

▼ [18a-E201-7] Photo-assisted activation and conductivity enhancement of solution-processed InZnO

〇Juan Paolo Soria Bermundo¹、Chaiyanan Kulchaisit¹、Mami Fujii¹、Hiroshi Ikenoue²、Yasuaki Ishikawa¹、Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST、2.Kyushu Univ.)