19:15 〜 19:30 [18p-E202-22] MBEによるh-BNバッファ層を用いた(0001)サファイア基板上GaN成長 〇小林 康之1、中田 啓一1、中澤 日出樹1、岡本 浩1、廣木 正伸2、熊倉 一英2 (1.弘前大学、2.NTT物性基礎研)