16:45 〜 17:00 [17p-F206-12] イオン注入技術を利用したSi-doped HfO2強誘電体薄膜の形成 〇右田 真司1、太田 裕之1、山田 浩之1、渋谷 圭介1、澤 彰仁1、松川 貴1、鳥海 明2 (1.産総研、2.東大工)