16:30 〜 16:45 [19p-C302-11] ソース及びゲートFP構造をもつAlGaN/GaN MOS-HEMTの評価 〇(M1)山口 良太1、ジョエル アスバル1、徳田 博邦1、葛原 正明1 (1.福井大院工)