13:45 〜 14:00 △ [18p-E202-2] Naフラックス法で作製したGaN結晶における酸素濃度が電気特性に与える影響 〇(B)遠藤 清人1、山田 拓海1、蔵本 流星1、林 正俊1、久保 等1、丸山 美帆子1、村上 航介1、今西 正幸1、今出 完1、吉村 政志1、森 勇介1 (1.阪大工)