10:00 〜 10:15 [18a-G203-5] MOS-Gated Thyristorの電圧ベース等価回路モデルを用いた急峻スロープPN-Body Tied SOI FETのパラメータ依存性の検討 〇(M2)植田 大貴1、竹内 潔1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)