13:45 〜 14:00 △ [20p-D103-3] SiC MOSキャパシタにおけるバイアス印加時のVFB安定性に低温ウェット酸化が与える効果 〇(B)小柳 潤1、平井 悠久1、喜多 浩之1 (1.東大院工)