一般セッション(口頭講演)
3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料
2018年3月17日(土) 13:15 〜 18:00 B403 (53-403)
鈴木 将之(愛知医大)、佐藤 庸一(分子研)、宇野 和行(山梨大)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:15 〜 13:30
〇白倉 勇紀1、滝口 耕司1、セット ジ イヨン1、山下 真司1 (1.東大工)
スケジュール
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13:30 〜 13:45
〇梶川 詠司1、久保 貴司1、竹内 裕一1、武者 満1、小川 和彦2 (1.電通大レーザー研、2.ファイバーラボ)
スケジュール
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13:45 〜 14:00
〇清水 一輝1、加納 秀紀1、金 磊1、山中 真仁1、西澤 典彦1 (1.名大工)
スケジュール
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14:00 〜 14:15
〇(D)松岡 洋平1、Sven Peter2、Mykhaylo Semtsiv1、W. Ted Masselink1 (1.Humboldt Univ. of Berlin、2.Sentech Instruments GmbH)
スケジュール
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14:15 〜 14:30
〇(PC)合谷 賢治1、松隈 啓1、上原 日和1、服部 聡史2、シェーファー クリスチャン2、小西 大介2、村上 政直2、時田 茂樹1 (1.阪大レーザー研、2.三星ダイヤモンド工業(株))
スケジュール
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14:30 〜 14:45
〇(PC)上原 日和1、シェーファー クリスチャン2、小西 大介2、服部 聡史2、合谷 賢治1、松隈 啓1、村上 政直2、清水 政二2、時田 茂樹1 (1.阪大レーザー研、2.三星ダイヤモンド工業(株))
スケジュール
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15:00 〜 15:15
〇(PC)上原 日和1、時田 茂樹1、河仲 準二1、小西 大介3、村上 政直3、清水 政二3、安原 亮2 (1.阪大レーザー研、2.核融合研、3.三星ダイヤモンド工業(株))
スケジュール
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15:15 〜 15:30
〇田中 裕樹1,2、Castellano-Hernandez Elena2、Kraenkel Christian2、神成 文彦1 (1.慶大理工、2.Leibniz Institute for Crystal Growth)
スケジュール
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15:30 〜 15:45
〇(B)藤田 将吾1、田中 裕樹1、神成 文彦1 (1.慶大理工)
スケジュール
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15:45 〜 16:00
〇川瀬 宏海1、大内 幹夫1、折井 庸亮2 (1.電機大工、2.スペクトロニクス)
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16:00 〜 16:15
〇佐藤 庸一1、秋山 順1、平等 拓範1 (1.分子研)
スケジュール
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16:30 〜 16:45
〇Lihe Zheng1、Takunori TAIRA1 (1.IMS)
スケジュール
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16:45 〜 17:00
Vincent Yahia1、〇Takunori Taira1 (1.Institute for Molecular Science)
スケジュール
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17:00 〜 17:15
〇(D)Arvydas Kausas1、Lihe Zheng1、Takunori Taira1 (1.Inst. for Molecular Science)
スケジュール
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17:15 〜 17:30
〇谷口 誠治1、コスロービアン ハイク1、李 大治1、本越 伸二1、藤田 雅之1、井澤 靖和1、西方 伸吾2、森岡 朋也2、濱本 浩一2、池淵 博2、大谷 雄一2、金子 毅2、井上 直樹2、醍醐 浩之2 (1.レーザー総研、2.三菱重工業)
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17:30 〜 17:45
〇(M1)Hejie Yan1,2、JuiHung Hung2、Kazuo Sato2、Hirohito Yamada1,2、Hiroyuki Yokoyama1,2 (1.School of Eng., Tohoku Univ.、2.NICHe, Tohoku Univ.)
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17:45 〜 18:00
〇Hung JuiHung1、Kazuo Sato1、He-Jei Yan2、Hirohito Yamada1,2、Hiroyuki Yokoyama1,2 (1.NICHe, Tohoku Univ.、2.ECEI, Tohoku Univ.)
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