一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2018年3月18日(日) 09:00 〜 12:00 B301 (53-301)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇(M1)梶原 祐磨1、森 伸也1 (1.阪大院工)
スケジュール
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09:15 〜 09:30
〇田中 貴久1、内田 建1 (1.慶大理工)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇金山 純一1、呉 研1、高橋 芳浩1 (1.日大理工)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇(M2)杉浦 隆弥1、松本 智1、中野 誠彦1 (1.慶大理工)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇濱田 智之1、山崎 隆浩1、大野 隆央1 (1.物材機構)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
〇石川 朋希1、谷内 覚1、内 幸彦1、山本 貴博2 (1.旭化成、2.東理大)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇(M1)長澤 立樹1、浅山 佳大1、中山 隆史1 (1.千葉大理)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇(M1C)河野 佳代1、石丸 学1 (1.九工大工)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇平野 智暉1、中出 和希1、李 韶賢1、川合 健太郎1、山村 和也1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
スケジュール
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11:30 〜 11:45
〇(D)RengieMark Domincel Mailig1、Yuya Tsukamoto1、Sohya Kudoh1、Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Tech)
スケジュール
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11:45 〜 12:00
〇(DC)工藤 聡也1、Mailig R.M.D1、石松 慎1、堀内 勇介1、大見 俊一郎1 (1.東工大)
スケジュール
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