一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇藤ノ木 紀仁1、辻田 卓司1、富山 盛央1 (1.パナソニック株式会社)
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09:15 〜 09:30
〇池田 稔1、田中 喜典2、大野 隆央1,2 (1.物質材料・研究機構MANA、2.物質材料・研究機構GREEN)
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09:30 〜 09:45
〇安原 颯1、吉川 祐未2、寺西 貴志2、安井 伸太郎1、谷山 智康1、伊藤 満1 (1.東京工業大学、2.岡山大学)
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09:45 〜 10:00
〇(B)小林 安貴1、西尾 和記1、清水 亮太1,2、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.JST さきがけ)
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10:00 〜 10:15
〇山本 一理1、清水 啓佑1、重松 圭1、東 正樹1 (1.東工大フロンティア材料研)
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10:15 〜 10:30
〇(M1)千田 啄丸1、塩貝 純一1、藤原 宏平1、塚﨑 敦1 (1.東北大金研)
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10:45 〜 11:00
〇神永 健一1,2、岡 大地2、福村 知昭2,3,4、長谷川 哲也1 (1.東大院理、2.東北大院理、3.東北大WPI-AIMR、4.東北大スピントロニクス教育センター)
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11:00 〜 11:15
〇福田 慎太郎1、岡 大地1、福村 知昭1,2,3 (1.東北大院理、2.東北大 AIMR、3.東北大 CSRN)
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11:15 〜 11:30
〇山本 卓1、齋藤 大地1、神永 健一1,2、岡 大地1、長谷川 哲也2、福村 知昭1,3,4 (1.東北大理、2.東大院理、3.東北大 WPI-AIMR、4.東北大 CSRN)
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11:30 〜 11:45
〇打田 正輝1、井出 元晴1、渡邉 湖介1、高橋 圭2,3、十倉 好紀1,2、川﨑 雅司1,2 (1.東大工、2.理研CEMS、3.JSTさきがけ)
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11:45 〜 12:00
〇井出 元晴1、打田 正輝1、川村 稔2、高橋 圭2,3、小塚 裕介1、十倉 好紀1,2、川﨑 雅司1,2 (1.東大工、2.理研CEMS、3.JSTさきがけ)
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