一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.8 光物性・発光デバイス
13:15 〜 13:30
〇Rong-Jun Xie1、Zheng Peng1、Takeda Takashi2、Hirosaki Naoto2 (1.Xiamen Univ.、2.NIMS)
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13:30 〜 13:45
〇(DC)Wang Chunyun1、Shiro Funahashi1、Takashi Takeda1、Kohsei Takahashi1、Naoto Hirosaki1 (1.NIMS)
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13:45 〜 14:00
〇(M1C)加藤 康介1、清野 肇1、武田 隆史2、広崎 尚登2 (1.芝浦工大院、2.物材機構)
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14:00 〜 14:15
〇(P)Yujin Cho1、Takashi Takeda1、Kohsei Takahashi1、Takashi Kimura1、Rong-jun Xie1、Naoto Hirosaki1、Takashi Sekiguchi1 (1.NIMS)
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14:15 〜 14:30
〇高橋 向星1、市野 善朗2、大澤 祥宏3、広崎 尚登1 (1.物材機構、2.産総研、3.大塚電子株式会社)
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14:30 〜 14:45
〇吉村 文孝1,2、山根 久典2 (1.三菱ケミカル、2.東北大学多元研)
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14:45 〜 15:00
〇大石 昌嗣1,2、塩見 昌平3、山本 孝1、植木 智之1、改井 陽一郎2、秩父 重英4、高取 愛子2、小島 一信4,2 (1.徳大、2.やわらかな光プロジェクト、3.京都市産技研、4.東北大多元研)
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15:00 〜 15:15
〇須田 順子1、神垣 良昭2、奥野 剛史3 (1.東京工科大 CS学部、2.EBL、3.電通大)
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