[17a-B203-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[17a-B203-5] 光無線給電高効率化のためのIII-V族化合物太陽電池の応用(４)

〇(M1)定免 良太¹、池田 充貴¹、桐生 倖成¹、松下 幹弥¹、前中 寛裕¹、寺本 英央¹、仲村 友希¹、代 盼²、陆 书龙²、内田 史朗¹ (1.千葉工大、2.蘇州ナノテク研)

キーワード：光無線給電、レーザ、太陽電池

これまで我々はInGaP,GaAs,InGaAsP,InGaAsなどの化合物太陽電池についてレーザ照射による変換効率を報告してきた. 理論式では, InGaP太陽電池が最も高い変換効率を期待することができ，本研究では新たに比較的Vocの高いInGaP太陽電池を用い，入射レーザ波長を520nmから638nmまで変化させその変換効率を測定した.また,633nmの半導体レーザを用い入射レーザ光面積依存性を測定した.その結果,変換効率は520nmが最も高い事，及び，変換効率の入射レーザ光面積依存性は小さいことが分かった．