[17a-B301-1~12] 15.1 バルク結晶成長

[17a-B301-10] Atomic Layer Deposition(ALD)による中空構造の応用

〇佐川 達郎¹、中村 昌幸¹、小林 貴之¹、幸 康一郎²、井本 良²、岡田 成仁²、立田 利明¹、只友 一行²、本山 愼一¹ (1.サムコ株式会社、2.山口大学)

キーワード：原子層堆積法、中空構造、窒化ガリウム

GaNパワーデバイスの作製には低欠陥GaN基板が必要不可欠だが、HVPE法を用いたGaN自立基板の作製ではサファイアとGaNとの大きな熱膨張係数差による熱応力が起因となるGaN基板の割れが多く見られる。今回、我々はGaNとサファイアの接触面積を減らすことでGaN基板の割れを防ぐことができると考えサファイア基板上にALDでAlN膜の中空構造を作製し、そしてその上にMOCVD法を用いることで表面モフォロジーが平坦なGaNのエピ成長に成功したので報告する。