[17a-B301-1~12] 15.1 Bulk crystal growth

[17a-B301-2] Al Concentration Dependence of Crystal Structure on Ca₃Ta(Ga,Al)₃Si₂O₁₄
Piezoelectric Single Crystals

〇Yuui Yokota¹, Yuji Ohashi^1,2, Kenji Inoue², Masao Yoshino³, Akihiro Yamaji³, Shunsuke Kurosawa^1,4, Kei Kamada^1,5, Akira Yoshikawa^1,3,5 (1.NICHe, Tohoku Univ., 2.Piezo Studio, 3.IMR, Tohoku Univ., 4.Yamagata Univ., 5.C&A)

Keywords:Piezoelectric single crystals

高温における安定した圧電特性や室温付近の高い周波数温度安定性から様々な応用が期待されているランガサイト系圧電結晶材料Ca₃TaGa₃Si₂O₁₄ (CTGS)において、我々はGaサイトへのAl置換を行ったCa₃Ta(Ga_1-xAl_x)₃Si₂O₁₄ (CTGAS)単結晶を作製し、材料定数や圧電特性のAl置換量依存性を明らかにしてきた。本研究ではCTGAS単結晶の単結晶構造解析を行い、結晶構造のAl置換量依存性を調べることで、結晶構造と圧電特性の相関を明らかにすることを目的とした。