2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月17日(土) 09:30 〜 12:30 C101 (52-101)

野口 隆(琉球大)

09:30 〜 09:45

[17a-C101-1] [講演奨励賞受賞記念講演] マイクロ波水素プラズマを用いたオンサイトシラン生成器の開発とその応用

武居 則久1、垣内 弘章1、安武 潔1、大参 宏昌1 (1.阪大院工)

キーワード:プラズマ、CVD、ドーピング

我々は,マイクロ波により生成される高密度水素プラズマを用い,固体シリコンと原子状水素のダイレクト反応によりモノシラン(SiH4)を生成し,シリコン膜を形成するリモート型大気圧プラズマ化学輸送法を提案している.本手法において,予め不純物がドープされたシリコン原料からオンサイト生成したSiH4を用いることで,毒性のあるドーピングガスを用いずに伝導型・抵抗率が制御されたシリコン膜の形成が可能であることが分かった.