[17a-C101-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17a-C101-7] (100) 配向 CLC 結晶成長への双晶発生の影響

〇佐々木 伸夫^1,2、Muhammad Arif²、浦岡 行治² (1.Sasaki Consulting、2.奈良先端大)

キーワード：低温ポリSi、CLC

CLC では、低パワーでは(100) 表面配向の単結晶Si薄膜を成長させることができるが、パワーを増加させると、スキャン方向に(110)、膜内横方向に(111) 方位を持つドメインが発生することがある。ドメインが発生しているとき、双晶粒界を調べると、ドメイン領域に顕著な双晶の発生を見出した。