[17a-C202-1~7] 17.2 グラフェン

[17a-C202-1] [17.ナノカーボン　分科内招待講演] Ⅳ族系ガスソースMBEからグラフェン・オン・シリコン技術まで

〇末光 眞希¹ (1.東北大通研)

キーワード：グラフェン、3C-SiC、GSMBE

Siガスソース（GS)MBEからグラフェン・オン・シリコン（GOS）技術に至る一連の技術開発の歴史を振り返る。化合物分子線を超高真空下で照射することでSiを低温エピ成膜できるGSMBEは、その後、SiGe、PドープSi、SiCと展開を遂げ、最終的にSi基板上にSiC薄膜を介してグラフェンを形成するGOS技術に結実した。時代とともに研究テーマは変遷してきたが、表面化学は常に変わらぬ一本の軸であった。