[17a-D101-1~8] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[17a-D101-3] Fabrication of light trapping structure using Ge island with high coverage grown by gas source molecular beam epitaxy as an etching mask

〇(M1)Yushi Ota¹, Atsushi Hombe¹, Kazuhiro Gotoh¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Usami Noritaka¹, Domitorij Yurasov², Alexey Novikov², Mikhail Shaleev² (1.Nagoya Univ, 2.IPM RAS)

Keywords:light trapping structure, etching, gas source molecular beam epitaxy

一般的なシリコン太陽電池の表面は、アルカリエッチングによるピラミッドテクスチャを持つ。しかし作製には基板に大きな削りしろを必要とし、薄型基板への適用が難しい。我々は削りしろの小さい凹凸作製方法として、固体ソースMBEにより成長させたGeドットをマスクとするエッチングを提案し検討してきた。本研究では固体ソースでの知見を元にガスソースによる高被覆率Geドットを用いて、高密の凹凸を持つ光閉じ込め構造を作製した。