[17a-D101-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[17a-D101-3] ガスソース分子線エピタキシー法による高被覆率Geドットマスクを用いた光閉じ込め構造の作製

〇(M1)太田 湧士¹、本部 惇史¹、後藤 和泰¹、黒川 康良¹、宇佐美 徳隆¹、ドミトリー ユラソフ²、アレクシー ナビコフ²、ミカエル シャリーブ² (1.名大院工、2.ロシア科学アカデミー)

キーワード：光閉じ込め構造、エッチング、ガスソース分子線エピタキシー法

一般的なシリコン太陽電池の表面は、アルカリエッチングによるピラミッドテクスチャを持つ。しかし作製には基板に大きな削りしろを必要とし、薄型基板への適用が難しい。我々は削りしろの小さい凹凸作製方法として、固体ソースMBEにより成長させたGeドットをマスクとするエッチングを提案し検討してきた。本研究では固体ソースでの知見を元にガスソースによる高被覆率Geドットを用いて、高密の凹凸を持つ光閉じ込め構造を作製した。