[17a-D101-1~8] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[17a-D101-5] Characterization of Structual and Optical Properties of Barrier Layer for Silicon Quantum Dot Superlattice by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition

〇(B)Ryushiro Akaishi¹, Kouhei Kitazawa¹, Satoshi Ono¹, Shinya Kato², Kazuhiro Gotoh¹, Noritaka Usami¹, Yasuyoshi Kurokawa¹ (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Tech.)

Keywords:solar cell, silicon quantum dot, silicon quantum dot superlattice

本発表ではSiH₄とCO₂を用いたプラズマCVD法によりSiO_x膜を作製し、900 ℃アニール後のシリコンナノ結晶の形成状態を評価した。ラマン散乱測定から算出した結晶化率は減少したが、これは酸素濃度の増加による核形成確率の低下が一因であると考えられる。エリプソメトリ法で算出した光学ギャップは酸素濃度の増加につれて大きくなった。この結果からシリコン量子ドット積層膜を作成する際のバリア層組成とドット層組成を検討できた。