[17a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-E202-5] GaNモノリシック微小二重共振器型第二高調波発生デバイスの作製

〇南部 誠明¹、上向井 正裕¹、藤 諒健¹、山田 智也¹、藤原 康文¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：GaN、第二高調波発生、共振器

窒化物半導体結晶は高い光損傷耐性と強い光学非線形性を有するが、常誘電性であるため高効率波長変換に必要な周期分極反転構造の形成が困難である。そこで我々は、厚膜GaN結晶を深掘りして作製する微小共振器型の波長変換デバイスを提案している。このデバイスはモノリシック構造であることから高安定で、共振器両側で反射位相調整することにより結晶方位の反転を不要とした。電場増強の効果により、全長十mm程度の微小共振器型第二高調波発生（SHG）デバイスで、およそ50%の変換効率を実現できることを理論的に示した。本発表では、このデバイスの作製プロセスについて報告する。