[17a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-E202-6] 極薄膜SiO₂によるGaNの水素支援熱分解の抑制効果

〇(B)大江 優輝¹、石嶋 駿¹、小川 航平¹、生江 祐介¹、松岡 明裕¹、川崎 祐生¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大、2.上智大ナノテクセンター)

キーワード：ナノ構造、GaN、熱分解

我々は低圧水素雰囲気中でのGaNの熱分解反応に着目した、低加工損傷での極微細加工が期待される水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法の研究を行っており、これまでに、HEATE法のエッチング特性やInGaN/GaNナノ構造LEDの作製等を報告してきた。GaNの熱分解はSiO₂膜マスクを形成することで抑制される。本発表ではSiO₂の分解抑制能力について検討を行い SiO₂膜マスクの薄膜化による高精度な極微細加工の可能性について報告する。