[17a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-E202-8] MOCVDによる高密度(> 10¹¹ cm^-2)InGaN量子ドットの形成

〇有田 宗貴¹、梅 洋^2,3、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.厦門大)

キーワード：量子ドット、InGaN

MOCVD成長InGaN QDの形成条件を検討し、10¹¹ cm^-2台の高密度化を実現した。