[17a-F102-1~12] 9.4 Thermoelectric conversion

[17a-F102-11] Electron transport mechanism causing thermoelectric power factor enhancement
in ZnO films including nanowires

〇(DC)Takafumi Ishibe¹, Atsuki Tomeda¹, Kentaro Watanabe¹, Yoshiaki Nakamura¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:Oxide, Nanowire, Thermoelectric material

ZnOは透明熱電材料としての応用が期待されるが、産業利用のためには、S²σの増大と熱伝導率の低減が要求される。我々は、ZnOナノワイヤ埋め込み構造を形成し、ナノワイヤ界面の導入により、S²σを約2倍増大することに成功した。しかしながら、そのS²σ増大機構は不明であった。今回、低温下における移動度・ゼーベック係数の挙動を調べることで、各電子散乱過程の寄与、及びナノワイヤ界面の効果を明らかにし、S²σ増大機構を解明する。