[17a-F102-1~12] 9.4 熱電変換

[17a-F102-11] ナノワイヤ埋め込みZnO構造における出力因子増大をもたらす電子輸送機構

〇(DC)石部 貴史¹、留田 純希¹、渡辺 健太郎¹、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：酸化物、ナノワイヤ、熱電材料

ZnOは透明熱電材料としての応用が期待されるが、産業利用のためには、S²σの増大と熱伝導率の低減が要求される。我々は、ZnOナノワイヤ埋め込み構造を形成し、ナノワイヤ界面の導入により、S²σを約2倍増大することに成功した。しかしながら、そのS²σ増大機構は不明であった。今回、低温下における移動度・ゼーベック係数の挙動を調べることで、各電子散乱過程の寄与、及びナノワイヤ界面の効果を明らかにし、S²σ増大機構を解明する。