2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.4 熱電変換

[17a-F102-1~12] 9.4 熱電変換

2018年3月17日(土) 09:00 〜 12:15 F102 (61-102)

長谷川 靖洋(埼玉大)、池田 浩也(静岡大)

10:45 〜 11:00

[17a-F102-7] SnSe薄膜の作製と熱電特性評価

〇(M1)村上 侑太郎1、堀出 朋哉1、宮崎 康次1、松本 要1 (1.九工大)

キーワード:熱電材料、薄膜

SnSeはPnma構造を有する斜方晶であり、熱電特性には異方性が存在する。このため熱電特性の制御には配向性の制御が求められる。薄膜において配向制御が可能であるが、薄膜についての報告は少ない。Pulsed Laser Deposition (PLD)法を用いてSrTiO3(STO)基板上に二軸配向したSnSe薄膜を作製し、熱電特性の測定を行った。講演では薄膜の熱電特性を組成・組織をもとに議論する予定である。