[17a-F206-1~13] 13.3 絶縁膜技術

[17a-F206-12] Al₂O₃/p-In_xGa_1-xAs MOS界面に与える前処理の効果

〇(M1)横山 千晶¹、張 志宇¹、加藤 公彦¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東京大院工)

キーワード：界面準位密度、p-InGaAs、前処理

前回、Al₂O₃/n-In_xGa_1-xAsにおいて、In組成が大きくなるほどS処理よりBHF処理において、In_xGa_1-xAsの価電子帯付近で低いD_itを得た。価電子帯付近のD_itを低減により、ひずみp-MOSFETやp-TFETの実現が期待できる。今回は、価電子帯付近のD_itをより定量的に評価するために、Al₂O₃/p-In_xGa_1-xAs MOS界面に対する前処理の効果を調べた。