[17a-F206-1~13] 13.3 Insulator technology

[17a-F206-13] Evaluation of Si Nanowire MOS Capacitor Using High-k Materials

〇Ryota Nezasa¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:Si nanowire, high-k, Capacitor

Siナノワイヤ(SiNW) MOSキャパシタは、3次元ナノ構造の非常に大きな表面積を利用することにより、平板のMOSキャパシタと比べて大きな静電容量を得ることができる。現状でSiNW MOSキャパシタの誘電膜には低誘電率材料であるSiO₂とAl₂O₃が用いられているが、より大きな誘電率を持つ誘電膜をSiNW MOSキャパシタに適用した報告はまだ無い。本実験では、比較的大きな誘電率を持つTiO₂をSiNW MOSキャパシタの誘電膜として利用し、その知見を得ることを試みた。