[17a-F206-1~13] 13.3 絶縁膜技術

[17a-F206-4] 光電子収率分光法による熱酸化SiO₂/Si構造の電子状態計測

〇大田 晃生¹、今川 拓哉¹、池田 弥央¹、牧原 克典¹、宮崎 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：光電子収率分光法、光電子分光法、電子状態計測