[17a-F206-1~13] 13.3 Insulator technology

△ [17a-F206-5] Oxygen density dependence of dynamical characteristics on high-temperature SiO₂

〇Yuji Yajima¹, Kenji Shiraishi^2,4, Tetsuo Endoh^3,4, Hiroyuki Kageshima^1,4 (1.Shimane Univ., 2.Nagoya Univ., 3.Tohoku Univ., 4.JST-ACCEL)

Keywords:SiO2, dynamical characteristics, First-principles molecular dynamics calculation

平面型集積回路デバイスの極微細化に伴うリーク電流の問題を解決するため、縦型BC-MOSFETについて研究開発が進められている。しかし三次元型である縦型BC-MOSFETの作成において、ゲート酸化膜形成のSi熱酸化時にミッシングSi現象などの問題が発生し制御が難しいことが知られている。三次元でのSi熱酸化過程は応力や粘性が強く影響し、二次元での酸化過程とは異なることも知られている。また、Si熱酸化過程においてはSi/SiO₂界面から酸化膜中へとSiOが発生することも知られ、発生したSiOの挙動が酸化過程に影響する。本研究は高温でのSiO₂の動特性が酸素濃度変化について、つまりSiO濃度に対してどういった変化を示すのかを明らかにしようとするねらいである。