2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[17a-F206-1~13] 13.3 絶縁膜技術

2018年3月17日(土) 09:00 〜 12:30 F206 (61-206)

井上 真雄(ルネサス)、渡邉 孝信(早大)

10:15 〜 10:30

[17a-F206-6] モットの広範囲ホッピングにおけるフォノン遷移の取り扱いに関する再考

宝玉 充1、泉田 貴士1、谷本 弘吉1、青木 伸俊1、尾上 誠司1 (1.東芝メモリ(株))

キーワード:広範囲ホッピング、マルチフォノン遷移

すでに我々は、2015年の春季応用物理学会にて、マルチフォノン遷移を考慮することで、モットの広範囲ホッピングの物理モデルを一般化する試みを紹介している。これにあわせて本報告では、マルチフォノン遷移の影響で、モット広範囲ホッピングの温度依存性が、いかに変調を受けるのかを明らかにした。