2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[17a-F206-1~13] 13.3 絶縁膜技術

2018年3月17日(土) 09:00 〜 12:30 F206 (61-206)

井上 真雄(ルネサス)、渡邉 孝信(早大)

10:45 〜 11:00

[17a-F206-8] Heat treatment in liquid water at 80oC used to improve the interface characteristic of metal-oxide-semiconductor capacitor

Yoshito Hirokawa1、Masahiko Hasumi1、Toshiyuki Samesima1、Tomohisa Mizuno2 (1.TUAT、2.Kanagawa Univ.)

キーワード:Metal-Oxide-Semiconductor capacitor, Passivation of silicon surface