[17a-F310-1~11] 13.9 Compound solar cells

[17a-F310-5] Recombination analysis of Cu(In,Ga)(S,Se)₂ solar cells using monochromatic incident light

〇(M1)Jingdong Chen¹, Shenghao Wang¹, Xia Hao¹, M.M. Islam¹, Takuya Kato², Hiroki Sugimoto², Katsuhiro Akimoto¹, Takeaki Sakurai¹ (1.Univ.Tsukuba, 2.Solar Frontier)

Keywords:Semiconductor, CIGS solar cells

Cu(In_,Ga)(S,Se)₂(CIGSSe)は化合物薄膜太陽電池として高い変換効率を示すが，複雑なデバイス構造のため，エネルギー損失箇所を特定するのが難しい。キャリア再結合の種類には，空乏層での再結合のほか，界面再結合，深い位置での少数キャリア再結合があり¹⁾，これらの再結合過程を分離し，解析するのは重要な研究課題である。本研究では，開放起電圧の照度依存性（Photon flux-Voc）を侵入長の異なる複数の単色光を用いて解析した結果を報告する。