[17a-F310-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[17a-F310-5] 単色入射光を利用したCu(In_,Ga)(S,Se)₂太陽電池の再結合解析

〇(M1)陳 敬東¹、王 生浩¹、Hao Xia¹、Islam M.M.¹、加藤 拓也²、杉本 広紀²、秋本 克洋¹、櫻井 岳曉¹ (1.筑波大数理、2.ソーラフロンティア)

キーワード：半導体、CIGS太陽電池

Cu(In_,Ga)(S,Se)₂(CIGSSe)は化合物薄膜太陽電池として高い変換効率を示すが，複雑なデバイス構造のため，エネルギー損失箇所を特定するのが難しい。キャリア再結合の種類には，空乏層での再結合のほか，界面再結合，深い位置での少数キャリア再結合があり¹⁾，これらの再結合過程を分離し，解析するのは重要な研究課題である。本研究では，開放起電圧の照度依存性（Photon flux-Voc）を侵入長の異なる複数の単色光を用いて解析した結果を報告する。