[17a-F310-1~11] 13.9 Compound solar cells

△ [17a-F310-9] Controlling of donor concentration of CdS buffer layer for Cu(In,Ga)Se₂ solar cells

〇(B)Takahiro Hayakawa¹, Takahito Nishimura², Hiroki Sugiura³, Kazuyoshi Nakada³, Akira Yamada³ (1.School of Tokyo Tech., 2.Graduate school of Tokyo Tech., 3.Tokyo Tech)

Keywords:CIGS, solar cells, carieer concentrarion

Cu(In,Ga)Se₂太陽電池におけるCdSバッファ層のn型キャリア濃度を増加させることで、CdS/CIGS界面における再結合の抑制が理論解析より見出した。CdS単膜において、In₂S₃薄膜を堆積させ、その後大気アニールすることでキャリア濃度が増加することが判明した。さらに、同様の処理を太陽電池デバイス上に施すことで開放電圧と曲線因子が向上した。