[17a-F310-1~11] 13.9 化合物太陽電池

△ [17a-F310-9] Cu(In,Ga)Se₂太陽電池におけるCdSバッファ層のキャリア濃度制御

〇(B)早川 貴宏¹、西村 昂人²、杉浦 大樹³、中田 和吉³、山田 明³ (1.東工大工、2.東工大院理工、3.東工大院工学院)

キーワード：CIGS、太陽電池、キャリア濃度

Cu(In,Ga)Se₂太陽電池におけるCdSバッファ層のn型キャリア濃度を増加させることで、CdS/CIGS界面における再結合の抑制が理論解析より見出した。CdS単膜において、In₂S₃薄膜を堆積させ、その後大気アニールすることでキャリア濃度が増加することが判明した。さらに、同様の処理を太陽電池デバイス上に施すことで開放電圧と曲線因子が向上した。