[17p-C103-1~13] 6.4 Thin films and New materials

[17p-C103-3] Low-temperature fabrication of solution-processed oxide-TFTs on a flexible substrate

〇Kyosuke Inui¹, Yuuki Yoshimoto¹, Li Jinwang¹, Hayashi Shinichirou¹, Shimoda Tatsuya¹ (1.JAIST)

Keywords:solution-process, Thin-film transistor

我々はこれまでに、液体プロセスによる薄膜トランジスタ(TFT)用の酸化物薄膜の低温形成の研究を行ってきた。その中で、TFTの主な構成要素である絶縁層、チャネル層、チャネルストッパー層、及びパッシベーション層の２００℃での低温形成に成功し、ガラス基板上でのアクティブマトリックス用バックプレーンTFTの作製及び電気泳動ディスプレイ(EPD)の動作を確認した。今回、フレキシブル基板上での液体低温プロセス酸化物TFTの動作に成功したので報告する。