2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[17p-C103-1~13] 6.4 薄膜新材料

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:00 C103 (52-103)

中村 吉伸(東大)、鈴木 基史(京大)

15:00 〜 15:15

[17p-C103-3] 液体プロセスを用いた酸化物TFTのフレキシブル基板上への低温形成

乾 京介1、芳本 裕樹1、李 金望1、林 真一朗1、下田 達也1 (1.北陸先端大)

キーワード:液体プロセス、薄膜トランジスタ

我々はこれまでに、液体プロセスによる薄膜トランジスタ(TFT)用の酸化物薄膜の低温形成の研究を行ってきた。その中で、TFTの主な構成要素である絶縁層、チャネル層、チャネルストッパー層、及びパッシベーション層の200℃での低温形成に成功し、ガラス基板上でのアクティブマトリックス用バックプレーンTFTの作製及び電気泳動ディスプレイ(EPD)の動作を確認した。今回、フレキシブル基板上での液体低温プロセス酸化物TFTの動作に成功したので報告する。