2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[17p-C103-1~13] 6.4 薄膜新材料

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:00 C103 (52-103)

中村 吉伸(東大)、鈴木 基史(京大)

16:30 〜 16:45

[17p-C103-8] 水素ラジカル支援パルスレーザ堆積法を用いたZrH2薄膜の作製

西 暁登1、吉松 公平1、大友 明1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

キーワード:ジルコニウム水素化物、水素ラジカル、PLD

近年発見された高温超伝導やヒドリド伝導に継ぐ,金属水素化物のさらなる展開が期待されている.金属水素化物の物性研究はこれまでバルクを対象とし,薄膜については数例しかない.これまで我々は反応活性の高い水素ラジカルを用いたパルスレーザ堆積法により,単相のTiH2薄膜作製を報告してきた.本研究ではチタンと同じⅣ族のジルコニウム水素化物(ZrH2)に着目し,その薄膜を作製したので報告する.