2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[17p-C202-1~15] 17.2 グラフェン

2018年3月17日(土) 13:45 〜 17:45 C202 (52-202)

安藤 淳(産総研)、千足 昇平(東大)

16:30 〜 16:45

[17p-C202-11] CVDグラフェンをテンプレートとしたグラフェン多層成長

根岸 良太1、丸岡 真人1、小川 友以2、高村 真琴2、谷保 芳孝2、小林 慶裕1 (1.阪大院工、2.NTT物性研)

キーワード:グラフェン、結晶成長、気相化学成長

乱層・多層グラフェンは、多層でありながら層間相互作用が弱く、各層が単層の電子構造を保持するため、高い移動度と伝導度を両立するデバイス材料として期待されている。本研究では、化学気相成長(CVD)法により合成した単層グラフェンを核として、多層グラフェンの成長を検討したので報告する。