[17p-C202-1~15] 17.2 Graphene

△ [17p-C202-9] Fabrication and investigation of turbostratic stacked CVD graphene for high-performance devices

〇Kohei Uemura¹, Yuri Sakamoto¹, Takashi Ikuta¹, Kenzo Maehashi¹ (1.TUAT)

Keywords:Graphene, Turbostratic, Device

乱層積層グラフェンは、単層グラフェン由来の線形バンドが保持されると考えられており、近年注目されている。電気特性においては、多層構造にも関わらず単層グラフェンのような高移動度が期待されるのでグラフェンFET 型センサの高性能化が見込まれる。本研究では、PMMAを用いて多結晶の単層 CVD グラフェンを複数回基板に転写するという簡便な方法で乱層構造の作製を試み、そのキャリア輸送特性について評価を行った。