2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[17p-C202-1~15] 17.2 グラフェン

2018年3月17日(土) 13:45 〜 17:45 C202 (52-202)

安藤 淳(産総研)、千足 昇平(東大)

15:45 〜 16:00

[17p-C202-9] 高性能デバイスに向けた乱層積層 CVD グラフェンの作製と評価

植村 孝平1、坂本 優莉1、生田 昂1、前橋 兼三1 (1.農工大)

キーワード:グラフェン、乱層、デバイス

乱層積層グラフェンは、単層グラフェン由来の線形バンドが保持されると考えられており、近年注目されている。電気特性においては、多層構造にも関わらず単層グラフェンのような高移動度が期待されるのでグラフェンFET 型センサの高性能化が見込まれる。本研究では、PMMAを用いて多結晶の単層 CVD グラフェンを複数回基板に転写するという簡便な方法で乱層構造の作製を試み、そのキャリア輸送特性について評価を行った。