[17p-C303-1~14] 17.1 カーボンナノチューブ，他のナノカーボン材料

[17p-C303-6] Al₂O₃バッファ層を用いた Co 触媒からの 単層カーボンナノチューブの低温成長

〇(M1)岡田 拓也¹、小川 征悟¹、藤井 貴之¹、才田 隆広¹、丸山 隆浩¹ (1.名城大理工)

キーワード：カーボンナノチューブ

単層カーボンナノチューブ(SWCNT)は様々な優れた電気的特性をもつことから、エレクトロニクス分野への応用が期待されている。しかし、その実現には作製温度の低温化が課題となっている。本研究では、低温成長におけるCo触媒からのSWCNTの成長量の向上を目的とし、Al₂O₃バッファ層を導入した場合に成長温度、エタノ ール圧力が成長量に与える影響を調べ、成長温度を300～700℃に変化させた際の測定結果を示し、成長量やSWCNTの構造の変化について議論する。