2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[17p-D102-1~19] 12.4 有機EL・トランジスタ

2018年3月17日(土) 13:15 〜 18:30 D102 (56-102)

内田 孝幸(東京工芸大)、硯里 善幸(山形大)、高田 徳幸(産総研)

17:30 〜 17:45

[17p-D102-16] 上部Al電極膜を赤外線照射下でスパッタ堆積した有機EL素子

星 陽一1、安田 洋司1、小林 信一1、内田 孝幸1 (1.東京工芸大工)

キーワード:有機EL素子、スパッタ堆積、赤外線照射

スパッタ成膜中の高エネルギー粒子の入射を抑制しても得られる有機EL素子の動作電圧は蒸着法を用いて作製した素子に比較して数V高くなる。蒸着法では、成膜中に蒸着源からの輻射熱が基板に入射することから、本研究ではスパッタ成膜中に基板に赤外線を照射しながら電極膜を作製する方法を検討した。その結果、赤外線照射を最適化することで蒸着法を用いる場合と当程度の発光特性を持つ有機EL素子を作製できることが明らかになったので報告する。