[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-13] InGaN MQW太陽電池における光応答波長の広域化に関する研究

〇原田 紘希¹、森 拓磨¹、Dorjdagva Bilguun¹、加藤 慎也¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：MOCVD、GaN、太陽電池

光応答波長の広域化を目的として、InGaN MQW太陽電池におけるInGaN井戸層のInNモル分率向上を狙った成長温度の低温化、ならびに量子閉じ込めシュタルク効果の利用を狙ったInGaN井戸層の厚膜化について検討を進めた。その結果、従来460nm程度であった光応答波長が500nmを超える領域まで長波長化されていることが確認できた。