[17p-E202-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-E202-16] Theoretical Analysis of the Reaction Process during h-BN MOVPE

〇Yuto Okawachi¹, Kazuki Sekiguchi², Kenta Chokawa², Masaaki Araidai^3,2, Kentaro Nagamatsu³, Shugo Nitta³, Yoshio Honda³, Hiroshi Amano³, Kenji Shiraishi^3,2 (1.Department of Applied Physics, Nagoya Univ., 2.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Boron, MOVPE, first-principles calculation

h-BN(hexagonal-Boron Nitride)はゲート絶縁膜や次世代パワー半導体として期待されている新材料である。ところが、現在のh-BN結晶は膜質が悪く、膜質の改善が急務となっている。そのためにはh-BNの作製法であるMOVPEプロセスの理解が不可欠である。我々はB原料のTEB (Triethylboran[B(C₂H₃)₃])とN原料のNH₃とキャリアガスのH₂を用いるMOVPEプロセスを第一原理計算と熱力学に基づいて理論的に考察した。なお、h-BNはハニカム構造になっており、気相中で六員環構造を生成すると高品質の結晶が成長すると考え、六員環形成の有無についても調べた。