[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-19] Mg ドーピングによる高 In 組成 InGaN の表面-バルク電子状態変化

〇井村 将隆¹、津田 俊輔¹、長田 貴弘¹、山下 良之^1,2、吉川 英樹^1,2、小林 啓介^1,2、小出 康夫¹、山口 智広^3,4、金子 昌充⁴、上松 尚⁴、荒木 努⁴、名西 やすし⁴ (1.物材機構、2.SPring-8 物材機構、3.工学院大、4.立命館大)

キーワード：窒化インジウムガリウム、硬X線光電子分光法

InN及び高In組成InGaNの特異な物性の一つに、表面電荷蓄積層の形成が挙げられ、アンドープ(u-InN及びu-InGaN)のみならず、MgをドープしたInN及びInGaN(InN:Mg及びInGaN:Mg)においても、この表面電荷蓄積層は形成される。これらの試料の表面電子状態は、通常の電気的特性評価により積極的に評価されてきたが、バルク電子状態に関してはあまり良く分かっていないのが現状である。これまでに我々は (通常の)X線光電子分光法と、放射光(hν = ~5.95k eV)を用いた硬X線光電子分光法を組み合わせることでu-InN及びMg-InNの表面-バルク電子状態を評価してきた。そこで本研究では、これらの結果を踏まえ、Mgドーピングによる高In組成InGaNの表面-バルク電子状態変化を詳細に評価したので報告する。