[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-E202-2] MOVPE成長m面 AlInN/GaNヘテロ構造 における特異ヘテロ構造 における特異ヘテロ構造 における特異(2)

〇稲富 悠也¹、草場 彰¹、柿本 浩一^1,2、寒川 義裕^1,2,3、小島 一信⁴、秩父 重英^4,3 (1.九大院工、2.九大応力研、3.名大未来研、4.東北大多元研)

キーワード：半導体、AlInN、MOVPE

AlInNは深紫外発光素子の材料候補として注目されている。低転位密度m面自立GaN基板上にMOVPE成長させたAlInN薄膜中には[0001]方向にAl-richなc面とIn-richなc面が交互に並ぶ自然超格子が形成されることが報告されている。また、成長膜厚の増加に伴いIn組成が増加する傾向も確認されている。本研究では第一原理計算と熱力学解析によって、これらのAlInN薄膜中の特異構造の理論解析を行った。