[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-E202-7] スパッタリングAlNバッファ層を用いた緑色LEDの発光特性の改善

〇(B)石本 聖治¹、ハン ドンピョ¹、松尾 祥平¹、山本 賢吾¹、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：LED、長波長、AlNバッファ層

GaN系長波長LEDの発光効率は活性層内のピエゾ電界により大きく低下する。本研究ではスパッタリングAlNを用いたサンプルは基板の反りが小さいということに着目し、ピエゾ電界の低減に効果があるのではないかと考えた。スパッタリングAlNを低温GaNバッファ層の代わりに用いることにより、緑色LEDのPL強度が約1.6倍に増加した。X線2θ/ω測定により、成長膜の熱歪が抑制されていることが確認された。